حافظه اس اس دی سامسونگ مدل ۹۷۰ EVO PLUS با ظرفیت ۲۵۰ گیگابایت

Samsung MZ-V7S250B/AM 970 EVO Plus 250GB PCIe Gen 3.0x4 NVMe M.2 SSD Drive
  • فرم فاکتور M.2 2280
  • نوع فلش Samsung V-NAND 3-bit MLC
  • ظرفیت 250 گیگابایت
  • نوع رابط M.2 PCIe Gen 3 x4 with NVM Express
  • سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه
  • سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه
  • سرعت خواندن اطلاعات تصادفی 250,000IOPS
  • سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی550,000IOPS
  • کنترل کننده Phoenix
موجود

حذف
محصولات مشابه مشاهده بیشتر
  • مشخصات فنی

  • Samsung MZ-V7S250B/AM 970 EVO Plus 250GB PCIe Gen 3.0x4 NVMe M.2 SSD Drive
وزن 9 کیلوگرم
ابعاد 22.15 × 80.15 × 2.38 میلی‌متر
گارانتی

شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )

نقد و بررسی‌ها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “حافظه اس اس دی سامسونگ مدل ۹۷۰ EVO PLUS با ظرفیت ۲۵۰ گیگابایت”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

  • توضیحات کوتاه

  • Samsung MZ-V7S250B/AM 970 EVO Plus 250GB PCIe Gen 3.0x4 NVMe M.2 SSD Drive
  • اطلاعات فیزیکی
فرم فاکتور M.2 2280
نوع فلش Samsung V-NAND 3-bit MLC
  • اطلاعات فنی
ظرفیت 250 گیگابایت
نوع رابط M.2 PCIe Gen 3 x4 with NVM Express
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی 250,000IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی 550,000IOPS
کنترل کننده Phoenix
  • سایر اطلاعات
مقاومت در برابر لرزش دارد
مقاومت در برابر شوک دارد
میزان مقاومت شوک 1500G/0.5ms
میانگین عمر – MTBF 1.500.000 ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM دارد
دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد
سایر قابلیت ها قابلیت رمزگذاری 256 بیتی AES
  • معایب و مزایا
مزایا :
  • کیفیت ساخت و ماندگاری بالا
  • قابلیت رمزگذاری 256 بیتی AES
  • قابلیت پشتیبانی از TRIM و S.M.A.R.T
  • دارای رابط پر سرعت PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
  • مقاومت در برابر شوک 1,500 G & 0.5 ms Half sine
  • استفاده از جدیدترین کنترلر (V-NAND Phoenix) و نسل جدید تکنولوژی TurboWrite

 

جدیدترین مقالات
enemad-logo