- اطلاعات فیزیکی
| نوع فلش | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
| فرم فاکتور | M.2 2280 |
- اطلاعات فنی
| ظرفیت | ۲۵۰ گیگابایت |
| نوع رابط | M.2 PCIe Gen 3 x4 with NVM Express |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی | ۱۵۰۰ مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی | ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی | ۳۵۰,۰۰۰IOPS |
| سرعت خواندن اطلاعات تصادفی | ۲۰۰,۰۰۰IOPS |
| کنترل کننده | Phoenix |
- سایر اطلاعات
| مقاومت در برابر لرزش | دارد |
| مقاومت در برابر شوک | دارد |
| میزان مقاومت شوک | ۱۵۰۰G/0.5ms |
| دمای عملیاتی | ۰ تا ۷۰ درجه سانتیگراد |
| میانگین عمر – MTBF | ۱.۵۰۰.۰۰۰ ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد |
| سایر قابلیت ها | قابلیت رمز گزاری ۲۵۶ بیتی AES |
- معایب و مزایا
| مزایا : |
|
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.