| Name | اس اس دی اینترنال ترنسند مدل 110S PCI Express Gen3 x4 ظرفیت 128 گیگابایت remove | حافظه اس اس دی اچ پی مدل S600 با ظرفیت 120 گیگابایت remove | حافظه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PRO 980 PCIe NVMe Gen4 m.2 2280 با ظرفیت 500 گیگابایت remove | حافظه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870EVO ساتا 2.5 اینچ با ظرفیت 500 گیگابایت remove | حافظه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870EVO ساتا 2.5 اینچ با ظرفیت 250 گیگابایت remove | اس اس دی اینترنال اچ پی مدل EX900 M.2 2280 ظرفیت 250 گیگابایت remove |
| Image |  |  |  |  |  |  |
| SKU | | | | | | |
| Rating | | | | | | |
| Price | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید |
| Stock | | | | | | |
| Availability | | | | | | |
| Add to cart | انتخاب گزینه‌ها
| انتخاب گزینه‌ها
| انتخاب گزینه‌ها
| انتخاب گزینه‌ها
| انتخاب گزینه‌ها
| انتخاب گزینه‌ها
|
| Description |
| ابعاد |
3.5 * 22 * 80 میلیمتر |
| وزن |
8 گرم |
| فرم فاکتور |
M.2 2280 |
| نوع فلش |
3D NAND flash |
| ظرفیت |
128 گیگابایت |
| نوع رابط |
PCIe NVMe 3.0 x4 |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
500 مگابایت بر ثانیه |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| میانگین عمر - MTBF |
2.000.000 ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| مزایا : |
- سازگاری کامل با استاندارهای RoHs
- دارای گواهینامه های CE/FCC/BSMI/KC/RCM
- طراحی کم حجم و فشره، ایده آل برای دستگاههای موبایل
- پشتیبانی از قابلیتهای S.M.A.R.T و LDPC Coding
- مناسب برای مادربرد ها و لپ تاپ های پشتیبانی کننده از اتصال M.2
- محافطت از اطلاعات ذخیره شده در هنگام قطع غیر منتظره جریان برق
|
|
| وزن |
80 گرم |
| فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
| ظرفیت |
120 گیگابایت |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
520 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
500 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن اطلاعات تصادفی |
23,000 IOPS |
| سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی |
58,000 IOPS |
| کنترل کننده |
Marvell 88NV1120 |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
100G / 6 msec |
| میانگین عمر - MTBF |
2.000.000 ساعت |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| دمای ذخیره سازی |
40- تا 85 درجه سانتیگراد |
| مزایا : |
- مصرف بهینه انرژی
- مقاوم در برابر شوک100G
- سرعت خواندن و نوشتن بالا
- ظرفیت ذخیره سازی 120 گیگابایت
- عملیات خنک کنندگی بی سر و صدا
- دارای کنترلر Marvell 88NV1120
|
|
| ابعاد |
22.15×80.15×2.38 میلی متر |
| وزن |
9 گرم |
| فرم فاکتور |
M.2 2280 |
| ظرفیت |
500 گیگابایت |
| نوع رابط |
PCIe Gen 4.0 x4 |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
5000 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن اطلاعات تصادفی |
690.000 IOPS |
| سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی |
620.000 IOPS |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1500G |
| مزایا : |
- کیفیت ساخت و ماندگاری بالا
- ظرفیت 500 گیگابایت
- رابط اتصال PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3
- مقاومت در برابر شوک و لرزش
|
|
| وزن |
50 گرم |
| فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
| نوع فلش |
Samsung V-NAND |
| ظرفیت |
500 گیگابایت |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
560 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
530 مگابایت بر ثانیه |
| مقاومت در برابر ضربه |
دارد |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1,500 G & 0.5 ms Half sine |
| میانگین عمر - MTBF |
1.500.000 ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| مزایا : |
- تکنولوژی V-NAND
- مدیریت بهینه انرژی
- سیستم حفاظت دمایی
- پایداری بالا و طول عمر تضمین شده
- سرعت خواندن و نوشتن خارق العاده
- تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ
- برقراری امنیت بالا با استفاده از رمزگذاری پیشرفته 256 بیتی AES
|
|
| وزن |
50 گرم |
| فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
| نوع فلش |
Samsung V-NAND |
| ظرفیت |
250 گیگابایت |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
560 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
530 مگابایت بر ثانیه |
| مقاومت در برابر ضربه |
دارد |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1,500 G & 0.5 ms Half sine |
| میانگین عمر - MTBF |
1.500.000 ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| مزایا : |
- تکنولوژی V-NAND
- مدیریت بهینه انرژی
- سیستم حفاظت دمایی
- پایداری بالا و طول عمر تضمین شده
- سرعت خواندن و نوشتن خارق العاده
- تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ
- برقراری امنیت بالا با استفاده از رمز گذاری پیشرفته 256 بیتی AES
|
|
| وزن |
10 گرم |
| فرم فاکتور |
M.2 2280 |
| نوع فلش |
3D TLC NAND |
| ظرفیت |
250 گیگابایت |
| نوع رابط |
PCIe 3.1 x4 NVMe 1.3 |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
2100 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
1500 مگابایت بر ثانیه |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| میانگین عمر - MTBF |
2.000.000 ساعت |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| مزایا : |
- مصرف پایین انرژی
- مقاوم در برابر لرزش
- میانگین عمر بسیار بالا
- رابط پرسرعت PCIe 3.1 x4 and NVMe 1.3
|
|
| Content | | | | | | |
| Weight | 8 | 80 | 9 | 50 | 50 | 10 |
| Dimensions | 80 × 22 × 3.5 میلیمتر | 100 × 69 × 7 میلیمتر | 22.15 × 80.15 × 2.38 میلیمتر | 100 × 69 × 7 میلیمتر | 100 × 69 × 7 میلیمتر | 22.15 × 80.15 × 2.38 میلیمتر |
| Additional information |
| وزن |
8 کیلوگرم |
| ابعاد |
80 × 22 × 3.5 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
| وزن |
80 کیلوگرم |
| ابعاد |
100 × 69 × 7 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
| وزن |
9 کیلوگرم |
| ابعاد |
22.15 × 80.15 × 2.38 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
| وزن |
50 کیلوگرم |
| ابعاد |
100 × 69 × 7 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
| وزن |
50 کیلوگرم |
| ابعاد |
100 × 69 × 7 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
| وزن |
10 کیلوگرم |
| ابعاد |
22.15 × 80.15 × 2.38 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
نقد و بررسی‌ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.