| Price | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید |
| Description |
| فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
| ابعاد |
7 * 69.85 * 100ميليمتر |
| وزن |
63 گرم |
| نوع فلش |
TLC 3D NAND |
| ظرفیت |
1 ترابایت |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
550 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
420 مگابایت بر ثانیه |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1500G |
| میانگین عمر - MTBF |
1.500.000 ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از Raid |
دارد |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| قابلیت پشتیبانی از NCQ |
دارد |
| مزایا : |
- پشتیبانی از RAID و NCQ
- سرعت مناسب انتقال اطلاعات
- مقاومت در برابر لرزش20G
- سیستم مانیتورینگ S.M.A.R.T
- میزان مقاومت شوک تا 1500G
- قابلیت پشتیبانی از دستورات TRIM
|
|
| وزن |
32 گرم |
| فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
| ظرفیت |
120 گیگابایت |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میانگین عمر - MTBF |
1.750.000 ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| گواهینامه ها |
FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| مصرف برق |
اکتیو: 2 وات
بیکاری: 3 میلی وات |
| مزایا : |
- مصرف بهینه انرژی
- مقاوم در برابر شوک
- سرعت خواندن و نوشتن بالا
- عمر مفید 1.75 میلیون ساعت
- عملیات خنک و بی سر و صدا
- ظرفیت ذخیره سازی 120 گیگابایت
|
|
| وزن |
50 گرم |
| فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
| نوع فلش |
Samsung V-NAND |
| ظرفیت |
250 گیگابایت |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
560 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
530 مگابایت بر ثانیه |
| مقاومت در برابر ضربه |
دارد |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1,500 G & 0.5 ms Half sine |
| میانگین عمر - MTBF |
1.500.000 ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| مزایا : |
- تکنولوژی V-NAND
- مدیریت بهینه انرژی
- سیستم حفاظت دمایی
- پایداری بالا و طول عمر تضمین شده
- سرعت خواندن و نوشتن خارق العاده
- تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ
- برقراری امنیت بالا با استفاده از رمز گذاری پیشرفته 256 بیتی AES
|
|
| ابعاد |
22 * 80 * 3.5 میلیمتر |
| وزن |
8 گرم |
| فرم فاکتور |
M.2 2280 |
| نوع فلش |
3D TLC |
| ظرفیت |
128 گیگابایت |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
560 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
300 مگابایت بر ثانیه |
| کنترل کننده |
SMI |
| مقاومت در برابر ضربه |
ندارد |
| مقاومت در برابر لرزش |
ندارد |
| مقاومت در مقابل خش |
ندارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1500G/0.5ms |
| میانگین عمر - MTBF |
2.000.000 ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| قابلیت پشتیبانی از NCQ |
دارد |
| گواهینامه ها |
RoHS, CE, FCC, BCMI, VCCI, KC |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| دمای ذخیره سازی |
40- تا 85 درجه سانتیگراد |
| مزایا : |
- کنترلر پرسرعت SMI
- حافظه های فلش 3D NAND
- ارائه ظرفیت بالا در ابعاد کوچک
- تکنولوژی LDPC ECC برای تصحیح کدهای خطا
- حالت DevSLP برای افزایش بهره وری و طول عمر درایو
- عملکرد، بهره وری و ضریب اطمینان بیشتر نسبت به درایوهای جامد 2D NAND
- استفاده از سیستم کَش هوشمند SLC در کنار حافظه کَش DRAM به منظور افزایش سرعت ذخیره سازی و بارگذاری اطلاعات
|
|
| وزن |
50 گرم |
| فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
| نوع فلش |
Samsung V-NAND |
| ظرفیت |
500 گیگابایت |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
560 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
530 مگابایت بر ثانیه |
| مقاومت در برابر ضربه |
دارد |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1,500 G & 0.5 ms Half sine |
| میانگین عمر - MTBF |
1.500.000 ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| مزایا : |
- تکنولوژی V-NAND
- مدیریت بهینه انرژی
- سیستم حفاظت دمایی
- پایداری بالا و طول عمر تضمین شده
- سرعت خواندن و نوشتن خارق العاده
- تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ
- برقراری امنیت بالا با استفاده از رمزگذاری پیشرفته 256 بیتی AES
|
|
| فرم فاکتور |
M.2 2280 |
| نوع فلش |
Samsung V-NAND 3-bit MLC |
| ظرفیت |
500 گیگابایت |
| نوع رابط |
M.2 PCIe Gen 3 x4 with NVM Express |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
3500 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
3200 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن اطلاعات تصادفی |
480,000IOPS |
| سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی |
550,000IOPS |
| کنترل کننده |
Phoenix |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1500G/0.5ms |
| میانگین عمر - MTBF |
1.500.000 ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| سایر قابلیت ها |
قابلیت رمز گزاری 256 بیتی AES |
| مزایا : |
- کیفیت ساخت و ماندگاری بالا
- قابلیت رمز گذاری 256 بیتی AES
- قابلیت پشتیبانی از TRIM و S.M.A.R.T
- دارای رابط پر سرعت PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
- مقاومت در برابر شوک 1,500 G & 0.5 ms Half sine
- استفاده از جدیدترین کنترلر (V-NAND Phoenix) و نسل جدید تکنولوژی TurboWrite
|
|
| Additional information |
| وزن |
63 کیلوگرم |
| ابعاد |
100 × 69 × 7 میلیمتر |
| گارانتی |
اصلی
|
|
| وزن |
50 کیلوگرم |
| ابعاد |
100 × 69 × 7 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
| وزن |
50 کیلوگرم |
| ابعاد |
100 × 69 × 7 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
| وزن |
8 کیلوگرم |
| ابعاد |
22 × 80 × 3.5 میلیمتر |
| گارانتی |
آونگ
|
|
| وزن |
50 کیلوگرم |
| ابعاد |
100 × 69 × 7 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
| وزن |
9 کیلوگرم |
| ابعاد |
22.15 × 80.15 × 2.38 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
نقد و بررسی‌ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.