Name | حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 970EVO M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت remove | حافظه اس اس دی ایدیتا مدل SP580 با ظرفیت 240 گیگابایت remove | اس اس دی اینترنال اچ پی مدل EX900 M.2 2280 ظرفیت 250 گیگابایت remove | حافظه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PRO 980 PCIe NVMe Gen4 m.2 2280 با ظرفیت 500 گیگابایت remove | حافظه اس اس دی ای دیتا مدل SX8200 Pro با ظرفیت 256 گیگابایت remove | حافظه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870EVO ساتا 2.5 اینچ با ظرفیت 500 گیگابایت remove |
Image |  |  |  |  |  |  |
SKU | | | | | | |
Rating | | | | | | |
Price | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید |
Stock | | ناموجود
| | | | |
Availability | | ناموجود | | | | |
Add to cart | انتخاب گزینهها
| محصول ناموجود
| انتخاب گزینهها
| انتخاب گزینهها
| انتخاب گزینهها
| انتخاب گزینهها
|
Description |
وزن |
8 گرم |
نوع فلش |
Samsung V-NAND 3-bit MLC |
فرم فاکتور |
M.2 2280 |
ظرفیت |
500 گیگابایت |
نوع رابط |
M.2 PCIe Gen 3 x4 with NVM Express |
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
2300 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
3400 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی |
450,000IOPS |
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی |
370,000IOPS |
کنترل کننده |
Phoenix |
مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
مقاومت در برابر شوک |
دارد |
میزان مقاومت شوک |
1500G/0.5ms |
دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
میانگین عمر - MTBF |
1.500.000 ساعت |
قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
سایر قابلیت ها |
قابلیت رمز گزاری 256 بیتی AES |
مزایا : |
- کیفیت ساخت و ماندگاری بالا
- قابلیت پشتیبانی از TRIM و S.M.A.R.T
- قابلیت کد گذاری 256 بیتی AES و پروتکلهای امنیتی TCG/Opal
- استفاده از جدیدترین کنترلر (V-NAND Phoenix) و نسل جدید تکنولوژی TurboWrite
- دارای رابط پر سرعت PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
- بهره گیری از تکنولوژی پیشرفته V-NAND با افزایش 50 درصدی ظرفیت نوشتاری (TBW)
- سیستم هوشمند جمع آوری اطلاعات زائد (Garbage Collection)
|
|
ابعاد |
7 * 69.85 * 100 میلیمتر |
وزن |
47 گرم |
فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
نوع فلش |
TLC |
ظرفیت |
240 گیگابایت |
نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
560 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
410 مگابایت بر ثانیه |
کنترل کننده |
Marvell |
میانگین عمر - MTBF |
1.500.000 ساعت |
دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
دمای ذخیره سازی |
40- تا 85 درجه سانتیگراد |
سازگار با سیستم عامل |
Windows 10,Windows 8, Windows 7, Windows Vista, Windows XP |
مزایا : |
- قیمت عالی
- طراحی زیبا و ظریف
- پشتیبانی از تصحیح خطای LDPC ECC
- پشتیبانی از DEVSLP برای کاهش مصرف انرژی
|
|
وزن |
10 گرم |
فرم فاکتور |
M.2 2280 |
نوع فلش |
3D TLC NAND |
ظرفیت |
250 گیگابایت |
نوع رابط |
PCIe 3.1 x4 NVMe 1.3 |
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
2100 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
1500 مگابایت بر ثانیه |
مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
میانگین عمر - MTBF |
2.000.000 ساعت |
دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
مزایا : |
- مصرف پایین انرژی
- مقاوم در برابر لرزش
- میانگین عمر بسیار بالا
- رابط پرسرعت PCIe 3.1 x4 and NVMe 1.3
|
|
ابعاد |
22.15×80.15×2.38 میلی متر |
وزن |
9 گرم |
فرم فاکتور |
M.2 2280 |
ظرفیت |
500 گیگابایت |
نوع رابط |
PCIe Gen 4.0 x4 |
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
5000 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی |
690.000 IOPS |
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی |
620.000 IOPS |
مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
مقاومت در برابر شوک |
دارد |
میزان مقاومت شوک |
1500G |
مزایا : |
- کیفیت ساخت و ماندگاری بالا
- ظرفیت 500 گیگابایت
- رابط اتصال PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3
- مقاومت در برابر شوک و لرزش
|
|
ابعاد |
22 * 80 * 3.5 میلیمتر |
وزن |
8 گرم |
فرم فاکتور |
M.2 2280 |
نوع فلش |
3D TLC |
ظرفیت |
256 گیگابایت |
نوع رابط |
PCIe Gen3x4 |
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
3500 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
3000 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی |
390K IOPS |
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی |
380K IOPS |
کنترل کننده |
SMI |
مقاومت در برابر شوک |
دارد |
میزان مقاومت شوک |
1500G/0.5ms |
میانگین عمر - MTBF |
2.000.000 ساعت |
دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
دمای ذخیره سازی |
40- تا 85 درجه سانتیگراد |
سایر قابلیت ها |
پشتیبانی از SLC caching و DRAM و NVMe 1.3
پشتیبانی از LDPC Low-Density Parity-Check |
مزایا : |
- دارای کنترلر SMI
- مقاوم در برابر شوک
- سرعت خواندن بالا تا 3500MB/s
- سرعت نوشتن اطلاعات تا 3000MB/s
- دارای فلش نسل دوم 64 لایه 3D TLC
- پشتیبانی از SLC caching و DRAM و NVMe 1.3
- پشتیبانی از LDPC Low-Density Parity-Check
- بکارگیری 3D NAND Flash با قابلیت فراهم کردن چگالی نگهداری و قابلیت اطمینان بیشتر نسبت به 2D NAND
|
|
وزن |
50 گرم |
فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
نوع فلش |
Samsung V-NAND |
ظرفیت |
500 گیگابایت |
نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
560 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
530 مگابایت بر ثانیه |
مقاومت در برابر ضربه |
دارد |
مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
مقاومت در برابر شوک |
دارد |
میزان مقاومت شوک |
1,500 G & 0.5 ms Half sine |
میانگین عمر - MTBF |
1.500.000 ساعت |
قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
مزایا : |
- تکنولوژی V-NAND
- مدیریت بهینه انرژی
- سیستم حفاظت دمایی
- پایداری بالا و طول عمر تضمین شده
- سرعت خواندن و نوشتن خارق العاده
- تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ
- برقراری امنیت بالا با استفاده از رمزگذاری پیشرفته 256 بیتی AES
|
|
Content | | | | | | |
Weight | 8 | 47 | 10 | 9 | 8 | 50 |
Dimensions | 22.15 × 80.15 × 2.38 میلیمتر | 7 × 69.85 × 100 میلیمتر | 22.15 × 80.15 × 2.38 میلیمتر | 22.15 × 80.15 × 2.38 میلیمتر | 22 × 80 × 3.5 میلیمتر | 100 × 69 × 7 میلیمتر |
Additional information |
وزن |
8 کیلوگرم |
ابعاد |
22.15 × 80.15 × 2.38 میلیمتر |
گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
وزن |
47 کیلوگرم |
ابعاد |
7 × 69.85 × 100 میلیمتر |
گارانتی |
آونگ
|
|
وزن |
10 کیلوگرم |
ابعاد |
22.15 × 80.15 × 2.38 میلیمتر |
گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
وزن |
9 کیلوگرم |
ابعاد |
22.15 × 80.15 × 2.38 میلیمتر |
گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
وزن |
8 کیلوگرم |
ابعاد |
22 × 80 × 3.5 میلیمتر |
گارانتی |
آونگ
|
|
وزن |
50 کیلوگرم |
ابعاد |
100 × 69 × 7 میلیمتر |
گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
نقد و بررسیها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.