| Name | حافظه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PRO 980 PCIe NVMe Gen4 m.2 2280 با ظرفیت 1 ترابایت remove | اس اس دی اینترنال اچ پی مدل EX900 M.2 2280 ظرفیت 250 گیگابایت remove | حافظه اس اس دی ای دیتا مدل XPG SX6000 Lite با ظرفیت 256 گیگابایت remove | حافظه اس اس دی کروشیال مدل BX500 با ظرفیت 240 گیگابایت remove | حافظه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870EVO ساتا 2.5 اینچ با ظرفیت 1 ترابایت remove | حافظه اس اس دی اچ پی مدل S600 با ظرفیت 120 گیگابایت remove |
| Image |  |  |  |  |  |  |
| SKU | | | | | | |
| Rating | | | | | | |
| Price | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید |
| Stock | | | | | | |
| Availability | | | | | | |
| Add to cart | انتخاب گزینه‌ها
| انتخاب گزینه‌ها
| انتخاب گزینه‌ها
| انتخاب گزینه‌ها
| انتخاب گزینه‌ها
| انتخاب گزینه‌ها
|
| Description |
| ابعاد |
22.15×80.15×2.38 میلی متر |
| وزن |
9 گرم |
| فرم فاکتور |
M.2 2280 |
| ظرفیت |
1 ترابایت |
| نوع رابط |
PCIe Gen 4.0 x4 |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1500G |
| مزایا : |
- کیفیت ساخت و ماندگاری بالا
- ظرفیت 1 ترابایت
- رابط اتصال PCIe Gen 4.0 x4,
- مقاومت در برابر شوک و لرزش
|
|
| وزن |
10 گرم |
| فرم فاکتور |
M.2 2280 |
| نوع فلش |
3D TLC NAND |
| ظرفیت |
250 گیگابایت |
| نوع رابط |
PCIe 3.1 x4 NVMe 1.3 |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
2100 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
1500 مگابایت بر ثانیه |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| میانگین عمر - MTBF |
2.000.000 ساعت |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| مزایا : |
- مصرف پایین انرژی
- مقاوم در برابر لرزش
- میانگین عمر بسیار بالا
- رابط پرسرعت PCIe 3.1 x4 and NVMe 1.3
|
|
| ابعاد |
22 * 80 * 2.15 میلیمتر |
| وزن |
8 گرم |
| فرم فاکتور |
M.2 2280 |
| نوع فلش |
3D NAND |
| ظرفیت |
256 گیگابایت |
| نوع رابط |
PCIe Gen3x4 |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
1800 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
1200 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن اطلاعات تصادفی |
220K IOPS |
| سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی |
200K IOPS |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1500G/0.5ms |
| میانگین عمر - MTBF |
1.800.000 ساعت |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| دمای ذخیره سازی |
40- تا 85 درجه سانتیگراد |
| سایر قابلیت ها |
پشتیبانی از NVMe 1.3 |
| مزایا : |
- رابط PCIe Gen3x4
- مقاوم در برابر شوک
- پشتیبانی از NVMe 1.3
- سرعت خواندن و نوشتن بالا
- پشتیبانی از SLC Caching و HMB Host Memory Buffer
- بکارگیری 3D NAND Flash نسل دوم با قابلیت فراهم کردن چگالی نگهداری و قابلیت اطمینان بیشتر نسبت به 2D NAND
|
|
| ابعاد |
7 میلیمتر |
| وزن |
90 گرم |
| فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
| نوع فلش |
3D NAND |
| ظرفیت |
240 گیگابایت |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
540 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
500 مگابایت بر ثانیه |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| سازگار با سیستم عامل |
iOS ,Windows XP, Windows 7, Windows 10 |
| مزایا : |
- مجهز به تکنولوژی شتاب دهی دینامیکی
- بهره گیری از حافظه های سریع تک سطحی
- محصولی مناسب برای ذخیره ی اطلاعات مهم
- استفاده حداکثری از قابلیتها با تولید حداقل گرما
- رمز گذاری و حفاظت اطلاعات در بالاترین سطح ممکن
|
|
| وزن |
50 گرم |
| فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
| نوع فلش |
Samsung V-NAND |
| ظرفیت |
1 ترابایت |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
560 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
530 مگابایت بر ثانیه |
| مقاومت در برابر ضربه |
دارد |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1,500 G & 0.5 ms Half sine |
| میانگین عمر - MTBF |
1.500.000 ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| مزایا : |
- تکنولوژی V-NAND
- مدیریت بهینه انرژی
- سیستم حفاظت دمایی
- پایداری بالا و طول عمر تضمین شده
- سرعت خواندن و نوشتن خارق العاده
- تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ
- برقراری امنیت بالا با استفاده از رمز گذاری پیشرفته 256 بیتی AES
|
|
| وزن |
80 گرم |
| فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
| ظرفیت |
120 گیگابایت |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
520 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
500 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن اطلاعات تصادفی |
23,000 IOPS |
| سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی |
58,000 IOPS |
| کنترل کننده |
Marvell 88NV1120 |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
100G / 6 msec |
| میانگین عمر - MTBF |
2.000.000 ساعت |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| دمای ذخیره سازی |
40- تا 85 درجه سانتیگراد |
| مزایا : |
- مصرف بهینه انرژی
- مقاوم در برابر شوک100G
- سرعت خواندن و نوشتن بالا
- ظرفیت ذخیره سازی 120 گیگابایت
- عملیات خنک کنندگی بی سر و صدا
- دارای کنترلر Marvell 88NV1120
|
|
| Content | | | | | | |
| Weight | 9 | 10 | 8 | 90 | 50 | 80 |
| Dimensions | 22.15 × 80.15 × 2.38 میلیمتر | 22.15 × 80.15 × 2.38 میلیمتر | 22 × 80 × 2.15 میلیمتر | 100 × 69 × 7 میلیمتر | 100 × 69 × 7 میلیمتر | 100 × 69 × 7 میلیمتر |
| Additional information |
| وزن |
9 کیلوگرم |
| ابعاد |
22.15 × 80.15 × 2.38 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
| وزن |
10 کیلوگرم |
| ابعاد |
22.15 × 80.15 × 2.38 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
| وزن |
8 کیلوگرم |
| ابعاد |
22 × 80 × 2.15 میلیمتر |
| گارانتی |
آونگ
|
|
| وزن |
90 کیلوگرم |
| ابعاد |
100 × 69 × 7 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
| وزن |
50 کیلوگرم |
| ابعاد |
100 × 69 × 7 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
| وزن |
80 کیلوگرم |
| ابعاد |
100 × 69 × 7 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
نقد و بررسی‌ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.