| Name | حافظه اس اس دی پی ان وای مدل XLR8 CS3030 با ظرفیت 500 گیگابایت remove | حافظه اس اس دی ای دیتا مدل XPG SX6000 Lite با ظرفیت 256 گیگابایت remove | حافظه اس اس دی ای دیتا مدل SX8200 Pro با ظرفیت 256 گیگابایت remove | اس اس دی اینترنال ترنسند مدل 110S PCI Express Gen3 x4 ظرفیت 128 گیگابایت remove | حافظه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870EVO ساتا 2.5 اینچ با ظرفیت 250 گیگابایت remove | حافظه اس اس دی ای دیتا مدل آلتیمیت SU750 با ظرفیت 512 گیگابایت remove |
| Image |  |  |  |  |  |  |
| SKU | | | | | | |
| Rating | | | | | | |
| Price | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید |
| Stock | | | | | | |
| Availability | | | | | | |
| Add to cart | انتخاب گزینه‌ها
| انتخاب گزینه‌ها
| انتخاب گزینه‌ها
| انتخاب گزینه‌ها
| انتخاب گزینه‌ها
| انتخاب گزینه‌ها
|
| Description |
| ظرفیت |
500 گیگابایت |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
3500 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
2000 مگابایت بر ثانیه |
| نوع رابط |
PCIe Gen3x4 |
| مزایا : |
- مصرف بهینه انرژی
- سازگار با مک و PC
- مقاوم در برابر شوک
- عملیات خنک و بی سر و صدا
- سرعت خواندن و نوشتن بالا
|
|
| ابعاد |
22 * 80 * 2.15 میلیمتر |
| وزن |
8 گرم |
| فرم فاکتور |
M.2 2280 |
| نوع فلش |
3D NAND |
| ظرفیت |
256 گیگابایت |
| نوع رابط |
PCIe Gen3x4 |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
1800 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
1200 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن اطلاعات تصادفی |
220K IOPS |
| سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی |
200K IOPS |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1500G/0.5ms |
| میانگین عمر - MTBF |
1.800.000 ساعت |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| دمای ذخیره سازی |
40- تا 85 درجه سانتیگراد |
| سایر قابلیت ها |
پشتیبانی از NVMe 1.3 |
| مزایا : |
- رابط PCIe Gen3x4
- مقاوم در برابر شوک
- پشتیبانی از NVMe 1.3
- سرعت خواندن و نوشتن بالا
- پشتیبانی از SLC Caching و HMB Host Memory Buffer
- بکارگیری 3D NAND Flash نسل دوم با قابلیت فراهم کردن چگالی نگهداری و قابلیت اطمینان بیشتر نسبت به 2D NAND
|
|
| ابعاد |
22 * 80 * 3.5 میلیمتر |
| وزن |
8 گرم |
| فرم فاکتور |
M.2 2280 |
| نوع فلش |
3D TLC |
| ظرفیت |
256 گیگابایت |
| نوع رابط |
PCIe Gen3x4 |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
3500 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
3000 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن اطلاعات تصادفی |
390K IOPS |
| سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی |
380K IOPS |
| کنترل کننده |
SMI |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1500G/0.5ms |
| میانگین عمر - MTBF |
2.000.000 ساعت |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| دمای ذخیره سازی |
40- تا 85 درجه سانتیگراد |
| سایر قابلیت ها |
پشتیبانی از SLC caching و DRAM و NVMe 1.3
پشتیبانی از LDPC Low-Density Parity-Check |
| مزایا : |
- دارای کنترلر SMI
- مقاوم در برابر شوک
- سرعت خواندن بالا تا 3500MB/s
- سرعت نوشتن اطلاعات تا 3000MB/s
- دارای فلش نسل دوم 64 لایه 3D TLC
- پشتیبانی از SLC caching و DRAM و NVMe 1.3
- پشتیبانی از LDPC Low-Density Parity-Check
- بکارگیری 3D NAND Flash با قابلیت فراهم کردن چگالی نگهداری و قابلیت اطمینان بیشتر نسبت به 2D NAND
|
|
| ابعاد |
3.5 * 22 * 80 میلیمتر |
| وزن |
8 گرم |
| فرم فاکتور |
M.2 2280 |
| نوع فلش |
3D NAND flash |
| ظرفیت |
128 گیگابایت |
| نوع رابط |
PCIe NVMe 3.0 x4 |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
500 مگابایت بر ثانیه |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| میانگین عمر - MTBF |
2.000.000 ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| مزایا : |
- سازگاری کامل با استاندارهای RoHs
- دارای گواهینامه های CE/FCC/BSMI/KC/RCM
- طراحی کم حجم و فشره، ایده آل برای دستگاههای موبایل
- پشتیبانی از قابلیتهای S.M.A.R.T و LDPC Coding
- مناسب برای مادربرد ها و لپ تاپ های پشتیبانی کننده از اتصال M.2
- محافطت از اطلاعات ذخیره شده در هنگام قطع غیر منتظره جریان برق
|
|
| وزن |
50 گرم |
| فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
| نوع فلش |
Samsung V-NAND |
| ظرفیت |
250 گیگابایت |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
560 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
530 مگابایت بر ثانیه |
| مقاومت در برابر ضربه |
دارد |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1,500 G & 0.5 ms Half sine |
| میانگین عمر - MTBF |
1.500.000 ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| مزایا : |
- تکنولوژی V-NAND
- مدیریت بهینه انرژی
- سیستم حفاظت دمایی
- پایداری بالا و طول عمر تضمین شده
- سرعت خواندن و نوشتن خارق العاده
- تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ
- برقراری امنیت بالا با استفاده از رمز گذاری پیشرفته 256 بیتی AES
|
|
| ابعاد |
100.45 * 69.85 * 7 میلیمتر |
| وزن |
47.5 گرم |
| فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
| نوع فلش |
3D TLC |
| ظرفیت |
512 گیگابایت |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
560 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
530 مگابایت بر ثانیه |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1500G/0.5ms |
| میانگین عمر - MTBF |
2.000.000 ساعت |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| دمای ذخیره سازی |
40- تا 85- درجه سانتیگراد |
| مزایا : |
- 512 گیگابایت ظرفیت ذخیره سازی
- فناوری SLC Caching Write Booster
- مدیریت آسان با نرم افزار SSD Toolbox
- سرعت بالای خواندن 560MB/s و نوشتن 530MB/s
- استفاده از نسل جدید فلش‌ها: 3D TLC NAND Flash
- استفاده از رابط ارتباطی پرسرعت SATA 3 با سرعت 6 گیگابایت بر ثانیه
|
|
| Content | | | | | | |
| Weight | 9 | 8 | 8 | 8 | 50 | 47.5 |
| Dimensions | 22 × 80 × 3 میلیمتر | 22 × 80 × 2.15 میلیمتر | 22 × 80 × 3.5 میلیمتر | 80 × 22 × 3.5 میلیمتر | 100 × 69 × 7 میلیمتر | 100.45 × 69.85 × 7 میلیمتر |
| Additional information |
| وزن |
9 کیلوگرم |
| ابعاد |
22 × 80 × 3 میلیمتر |
| گارانتی |
اصلی, شرکتی
|
|
| وزن |
8 کیلوگرم |
| ابعاد |
22 × 80 × 2.15 میلیمتر |
| گارانتی |
آونگ
|
|
| وزن |
8 کیلوگرم |
| ابعاد |
22 × 80 × 3.5 میلیمتر |
| گارانتی |
آونگ
|
|
| وزن |
8 کیلوگرم |
| ابعاد |
80 × 22 × 3.5 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
| وزن |
50 کیلوگرم |
| ابعاد |
100 × 69 × 7 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
| وزن |
47.5 کیلوگرم |
| ابعاد |
100.45 × 69.85 × 7 میلیمتر |
| گارانتی |
آونگ
|
|
نقد و بررسی‌ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.