| Price | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید | جهت استعلام قیمت تماس بگیرید |
| Description |
| ابعاد |
100.45 * 69.85 * 7میلیمتر |
| وزن |
47.5گرم |
| نوع فلش |
3D TLC |
| فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
| ظرفیت |
512 گیگابایت |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
560 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
520 مگابایت بر ثانیه |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| کنترل کننده |
SMI |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میانگین عمر - MTBF |
2.000.000 ساعت |
| میزان مقاومت شوک |
1500G/0.5ms |
| دمای ذخیره سازی |
40- تا 85 درجه سانتیگراد |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| قابلیت پشتیبانی از Raid |
دارد |
| قابلیت پشتیبانی از NCQ |
دارد |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| مزایا : |
- 512 گیگابایت ظرفیت ذخیره سازی
- مدیریت آسان با نرم افزار SSD Toolbox
- مصرف انرژی فوق پایین
- پشتیبانی از Data Shaping و RAID Engine
- موتور تصحیح خطای پیشرفته LDPC ECC
- فناوری SLC Caching و DRAM Chache Buffer
- سرعت بالای خواندن 560MB/s و نوشتن 520MB/s
- استفاده از نسل جدید فلش‌ها: ۳D NAND Flash
- استفاده از رابط ارتباطی پرسرعت SATA 3 با سرعت 6 گیگابیت بر ثانیه
|
|
| ابعاد |
22 * 80 * 2.15 میلیمتر |
| وزن |
8 گرم |
| فرم فاکتور |
M.2 2280 |
| نوع فلش |
3D NAND |
| ظرفیت |
256 گیگابایت |
| نوع رابط |
PCIe Gen3x4 |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
1800 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
1200 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن اطلاعات تصادفی |
220K IOPS |
| سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی |
200K IOPS |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1500G/0.5ms |
| میانگین عمر - MTBF |
1.800.000 ساعت |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| دمای ذخیره سازی |
40- تا 85 درجه سانتیگراد |
| سایر قابلیت ها |
پشتیبانی از NVMe 1.3 |
| مزایا : |
- رابط PCIe Gen3x4
- مقاوم در برابر شوک
- پشتیبانی از NVMe 1.3
- سرعت خواندن و نوشتن بالا
- پشتیبانی از SLC Caching و HMB Host Memory Buffer
- بکارگیری 3D NAND Flash نسل دوم با قابلیت فراهم کردن چگالی نگهداری و قابلیت اطمینان بیشتر نسبت به 2D NAND
|
|
| وزن |
80 گرم |
| فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
| ظرفیت |
120 گیگابایت |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
520 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
500 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن اطلاعات تصادفی |
23,000 IOPS |
| سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی |
58,000 IOPS |
| کنترل کننده |
Marvell 88NV1120 |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
100G / 6 msec |
| میانگین عمر - MTBF |
2.000.000 ساعت |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| دمای ذخیره سازی |
40- تا 85 درجه سانتیگراد |
| مزایا : |
- مصرف بهینه انرژی
- مقاوم در برابر شوک100G
- سرعت خواندن و نوشتن بالا
- ظرفیت ذخیره سازی 120 گیگابایت
- عملیات خنک کنندگی بی سر و صدا
- دارای کنترلر Marvell 88NV1120
|
|
| فرم فاکتور |
M.2 2280 |
| نوع فلش |
Samsung V-NAND 3-bit MLC |
| ظرفیت |
500 گیگابایت |
| نوع رابط |
M.2 PCIe Gen 3 x4 with NVM Express |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
3500 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
3200 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن اطلاعات تصادفی |
480,000IOPS |
| سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی |
550,000IOPS |
| کنترل کننده |
Phoenix |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1500G/0.5ms |
| میانگین عمر - MTBF |
1.500.000 ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| سایر قابلیت ها |
قابلیت رمز گزاری 256 بیتی AES |
| مزایا : |
- کیفیت ساخت و ماندگاری بالا
- قابلیت رمز گذاری 256 بیتی AES
- قابلیت پشتیبانی از TRIM و S.M.A.R.T
- دارای رابط پر سرعت PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
- مقاومت در برابر شوک 1,500 G & 0.5 ms Half sine
- استفاده از جدیدترین کنترلر (V-NAND Phoenix) و نسل جدید تکنولوژی TurboWrite
|
|
| ابعاد |
22 * 80 * 3.5 میلیمتر |
| وزن |
8 گرم |
| فرم فاکتور |
M.2 2280 |
| نوع فلش |
3D TLC |
| ظرفیت |
128 گیگابایت |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی |
560 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی |
300 مگابایت بر ثانیه |
| کنترل کننده |
SMI |
| مقاومت در برابر ضربه |
ندارد |
| مقاومت در برابر لرزش |
ندارد |
| مقاومت در مقابل خش |
ندارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میزان مقاومت شوک |
1500G/0.5ms |
| میانگین عمر - MTBF |
2.000.000 ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| قابلیت پشتیبانی از NCQ |
دارد |
| گواهینامه ها |
RoHS, CE, FCC, BCMI, VCCI, KC |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| دمای ذخیره سازی |
40- تا 85 درجه سانتیگراد |
| مزایا : |
- کنترلر پرسرعت SMI
- حافظه های فلش 3D NAND
- ارائه ظرفیت بالا در ابعاد کوچک
- تکنولوژی LDPC ECC برای تصحیح کدهای خطا
- حالت DevSLP برای افزایش بهره وری و طول عمر درایو
- عملکرد، بهره وری و ضریب اطمینان بیشتر نسبت به درایوهای جامد 2D NAND
- استفاده از سیستم کَش هوشمند SLC در کنار حافظه کَش DRAM به منظور افزایش سرعت ذخیره سازی و بارگذاری اطلاعات
|
|
| وزن |
32 گرم |
| فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
| ظرفیت |
120 گیگابایت |
| نوع رابط |
SATA 6 Gb/s |
| مقاومت در برابر لرزش |
دارد |
| مقاومت در برابر شوک |
دارد |
| میانگین عمر - MTBF |
1.750.000 ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد |
| گواهینامه ها |
FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI |
| دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| مصرف برق |
اکتیو: 2 وات
بیکاری: 3 میلی وات |
| مزایا : |
- مصرف بهینه انرژی
- مقاوم در برابر شوک
- سرعت خواندن و نوشتن بالا
- عمر مفید 1.75 میلیون ساعت
- عملیات خنک و بی سر و صدا
- ظرفیت ذخیره سازی 120 گیگابایت
|
|
| Additional information |
| وزن |
47 کیلوگرم |
| ابعاد |
100 × 69 × 7 میلیمتر |
| گارانتی |
آونگ
|
|
| وزن |
8 کیلوگرم |
| ابعاد |
22 × 80 × 2.15 میلیمتر |
| گارانتی |
آونگ
|
|
| وزن |
80 کیلوگرم |
| ابعاد |
100 × 69 × 7 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
| وزن |
9 کیلوگرم |
| ابعاد |
22.15 × 80.15 × 2.38 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
| وزن |
8 کیلوگرم |
| ابعاد |
22 × 80 × 3.5 میلیمتر |
| گارانتی |
آونگ
|
|
| وزن |
50 کیلوگرم |
| ابعاد |
100 × 69 × 7 میلیمتر |
| گارانتی |
شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )
|
|
نقد و بررسی‌ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.