حافظه اس اس دی سامسونگ مدل ۹۷۰PRO M.2 با ظرفیت ۱ ترابایت

Samsung MZ-V7P1T0BW 970 PRO 1TB PCIe NVMe M.2 SSD Drive
  • وزن 8 گرم
  • فرم فاکتور M.2 2280
  • نوع فلش V-NAND 2-bit MLC
  • ظرفیت 1 ترابایت
  • نوع رابط M.2 PCIe Gen 3 x4 with NVM Express
  • سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه
  • سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه
  • سرعت خواندن اطلاعات تصادفی 500,000IOPS
  • سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی 500,000IOPS
  • کنترل کنندهPhoenix
موجود

در حال حاضر این محصول در انبار موجود نیست و در دسترس نمی باشد.

محصولات مشابه مشاهده بیشتر
  • مشخصات فنی

  • Samsung MZ-V7P1T0BW 970 PRO 1TB PCIe NVMe M.2 SSD Drive
وزن 8 کیلوگرم
ابعاد 22.15 × 80.15 × 2.38 میلی‌متر
گارانتی

شرکتی, یکپارچه (سازگار/تابا/حامی/لایف/ماتریکس/الماس ایران )

نقد و بررسی‌ها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “حافظه اس اس دی سامسونگ مدل ۹۷۰PRO M.2 با ظرفیت ۱ ترابایت”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

  • توضیحات کوتاه

  • Samsung MZ-V7P1T0BW 970 PRO 1TB PCIe NVMe M.2 SSD Drive
  • اطلاعات فیزیکی
وزن 8 گرم
نوع فلش V-NAND 2-bit MLC
فرم فاکتور M.2 2280
  • اطلاعات فنی
ظرفیت 1 ترابایت
نوع رابط M.2 PCIe Gen 3 x4 with NVM Express
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی 500,000IOPS
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی 500,000IOPS
کنترل کننده Phoenix
  • سایر اطلاعات
مقاومت در برابر لرزش دارد
مقاومت در برابر شوک دارد
میزان مقاومت شوک 1500G/0.5ms
قابلیت پشتیبانی از TRIM دارد
دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد
میانگین عمر – MTBF 1.500.000 ساعت
سایر قابلیت ها قابلیت رمز گزاری 256 بیتی AES
  • معایب و مزایا
مزایا :
  • کیفیت ساخت و ماندگاری بالا
  • قابلیت پشتیبانی از TRIM و S.M.A.R.T
  • دارای حافظه V-NAND MLC رابط 2 بیتی
  • سیستم هوشمند جمع آوری اطلاعات زائد (Garbage Collection)
  • دارای رابط پر سرعت PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
  • استفاده از جدیدترین کنترلر (V-NAND Phoenix) و نسل جدید تکنولوژی TurboWrite
  • قابلیت کد گذاری 256 بیتی AES و پروتکلهای امنیتی TCG/Opal
  • بهره گیری از تکنولوژی پیشرفته V-NAND با افزایش 50 درصدی ظرفیت نوشتاری (TBW)

 

جدیدترین مقالات
enemad-logo